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71T75602S150BGG

71T75602S150BGG

僅供參考

型號 71T75602S150BGG
PNEDA編號 71T75602S150BGG
描述 IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,354
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71T75602S150BGG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71T75602S150BGG
類別半導體內存IC內存

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71T75602S150BGG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小18Mb (512K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電2.375V ~ 2.625V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

15ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

2Gb (128M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

96-TWBGA (9x13)

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制造商

STMicroelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

32Kb (4K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-FBGA (13x15)

CY62147G30-45ZSXI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

MoBL®

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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