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71V30L35TFI8

71V30L35TFI8

僅供參考

型號 71V30L35TFI8
PNEDA編號 71V30L35TFI8
描述 IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V30L35TFI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V30L35TFI8
類別半導體內存IC內存

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71V30L35TFI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小8Kb (1K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁35ns
訪問時間35ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LQFP
供應商設備包裝64-TQFP (10x10)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

SDRAM - DDR4

內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.2GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.14V ~ 1.26V

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Toshiba Memory America, Inc.

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內存類型

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內存格式

FLASH

技術

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內存大小

8Gb (1G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

28-TSOP I

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

8Mb (512K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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