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71V321S25TF8

71V321S25TF8

僅供參考

型號 71V321S25TF8
PNEDA編號 71V321S25TF8
描述 IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V321S25TF8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V321S25TF8
類別半導體內存IC內存

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71V321S25TF8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Dual Port, Asynchronous
內存大小16Kb (2K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁25ns
訪問時間25ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LQFP
供應商設備包裝64-TQFP (10x10)

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

32-PLCC (13.97x11.43)

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Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1.866GHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

0.6V, 1.1V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT49H16M36FM-25:B

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

576Mb (16M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

CY7C136E-55NXCT

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

52-PQFP (10x10)

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