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71V3558SA100BQG

71V3558SA100BQG

僅供參考

型號 71V3558SA100BQG
PNEDA編號 71V3558SA100BQG
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V3558SA100BQG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V3558SA100BQG
類別半導體內存IC內存

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71V3558SA100BQG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小4.5Mb (256K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率100MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存接口

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時鐘頻率

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工作溫度

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

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0°C ~ 70°C (TA)

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Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

64Kb (8K x 8)

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I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

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內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

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-40°C ~ 85°C (TA)

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