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71V35761S200BGG

71V35761S200BGG

僅供參考

型號 71V35761S200BGG
PNEDA編號 71V35761S200BGG
描述 IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V35761S200BGG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V35761S200BGG
類別半導體內存IC內存

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71V35761S200BGG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小4.5Mb (128K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.1ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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工作溫度

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

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安裝類型

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