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71V432S6PFGI8

71V432S6PFGI8

僅供參考

型號 71V432S6PFGI8
PNEDA編號 71V432S6PFGI8
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V432S6PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V432S6PFGI8
類別半導體內存IC內存

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71V432S6PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小1Mb (32K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.135V ~ 3.63V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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-

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-

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 3.6V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

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安裝類型

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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