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71V632S6PFGI8

71V632S6PFGI8

僅供參考

型號 71V632S6PFGI8
PNEDA編號 71V632S6PFGI8
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 5,382
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V632S6PFGI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V632S6PFGI8
類別半導體內存IC內存

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71V632S6PFGI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小2Mb (64K x 32)
內存接口Parallel
時鐘頻率83MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間6ns
電壓-供電3.135V ~ 3.63V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

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-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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電壓-供電

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安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

電壓-供電

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