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71V65603S150PFG

71V65603S150PFG

僅供參考

型號 71V65603S150PFG
PNEDA編號 71V65603S150PFG
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65603S150PFG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65603S150PFG
類別半導體內存IC內存

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71V65603S150PFG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱100-LQFP
供應商設備包裝100-TQFP (14x14)

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內存接口

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時鐘頻率

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5ms

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

117MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

7.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x20)

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

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內存格式

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內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5ns

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安裝類型

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