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71V65803S150BQ

71V65803S150BQ

僅供參考

型號 71V65803S150BQ
PNEDA編號 71V65803S150BQ
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V65803S150BQ資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V65803S150BQ
類別半導體內存IC內存

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71V65803S150BQ規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
內存大小9Mb (512K x 18)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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工作溫度

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內存類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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Micron Technology Inc.

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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內存接口

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時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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