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71V67603S133BGG

71V67603S133BGG

僅供參考

型號 71V67603S133BGG
PNEDA編號 71V67603S133BGG
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,190
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67603S133BGG資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67603S133BGG
類別半導體內存IC內存

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71V67603S133BGG規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率133MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間4.2ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (128K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

48-TSOP I

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

FLASH - NAND

內存大小

1.5Tb (192G x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, QUADP

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

333MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.4ns

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

165-LBGA

供應商設備包裝

165-LFBGA (15x17)

71T75602S150PFG

IDT, Integrated Device Technology

制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

供應商設備包裝

100-TQFP (14x14)

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