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71V67603S150BQ8

71V67603S150BQ8

僅供參考

型號 71V67603S150BQ8
PNEDA編號 71V67603S150BQ8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67603S150BQ8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67603S150BQ8
類別半導體內存IC內存

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71V67603S150BQ8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

4ns

電壓-供電

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Synchronous

內存大小

1.152Mb (64K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

67MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

9ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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