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71V67603S150BQI8

71V67603S150BQI8

僅供參考

型號 71V67603S150BQI8
PNEDA編號 71V67603S150BQI8
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67603S150BQI8資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67603S150BQI8
類別半導體內存IC內存

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71V67603S150BQI8規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率150MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間3.8ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱165-TBGA
供應商設備包裝165-CABGA (13x15)

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

供應商設備包裝

8-MSOP

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

900ns

電壓-供電

1.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

14-TSSOP

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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制造商

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系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (256 x 4)

內存接口

1-Wire®

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

2µs

電壓-供電

-

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-WFBGA, CSPBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

110ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

56-TSOP

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