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71V67703S85BGGI

71V67703S85BGGI

僅供參考

型號 71V67703S85BGGI
PNEDA編號 71V67703S85BGGI
描述 IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
制造商 IDT, Integrated Device Technology
單價 請求報價
庫存 8,640
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

71V67703S85BGGI資源

品牌 IDT, Integrated Device Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號71V67703S85BGGI
類別半導體內存IC內存

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71V67703S85BGGI規格

制造商IDT, Integrated Device Technology Inc
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Synchronous, SDR
內存大小9Mb (256K x 36)
內存接口Parallel
時鐘頻率87MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間8.5ns
電壓-供電3.135V ~ 3.465V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱119-BGA
供應商設備包裝119-PBGA (14x22)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8.5ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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