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76020H

76020H

僅供參考

型號 76020H
PNEDA編號 76020H
描述 RF POWER TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

76020H資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號76020H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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76020H規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

45W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 2A, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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-

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 1V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

14dB ~ 8.5dB

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

210mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 20mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

22dB

功率-最大

135mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

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