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8ETH06-1

8ETH06-1

僅供參考

型號 8ETH06-1
PNEDA編號 8ETH06-1
描述 DIODE GEN PURP 600V 8A TO262
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,862
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

8ETH06-1資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號8ETH06-1
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
8ETH06-1, 8ETH06-1數據表 (總頁數: 7, 大小: 104.24 KB)
PDF8ETH06S數據表 封面
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8ETH06-1規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列FRED Pt®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.4V @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)25ns
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 5

供應商設備包裝

PowerDI™ 5

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SS26-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

700mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

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Surface Mount

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1000V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1600V

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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