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93C66B-I/P

93C66B-I/P

僅供參考

型號 93C66B-I/P
PNEDA編號 93C66B-I-P
描述 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8DIP
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 17,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93C66B-I/P資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93C66B-I/P
類別半導體內存IC內存

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93C66B-I/P規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁2ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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內存大小

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內存接口

SPI - Dual I/O

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

SRAM

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內存大小

36Mb (1M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

366MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

80ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

NVSRAM

技術

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

150ns

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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