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93C66BT-I/MNY

93C66BT-I/MNY

僅供參考

型號 93C66BT-I/MNY
PNEDA編號 93C66BT-I-MNY
描述 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93C66BT-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93C66BT-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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93C66BT-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁2ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR3L

內存大小

2Gb (256M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

800MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

78-TFBGA

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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Alliance Memory, Inc.

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

128Mb (8M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

12ns

訪問時間

5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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