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93C86T-E/SN

93C86T-E/SN

僅供參考

型號 93C86T-E/SN
PNEDA編號 93C86T-E-SN
描述 IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93C86T-E/SN資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93C86T-E/SN
類別半導體內存IC內存

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93C86T-E/SN規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8, 1K x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁2ms
訪問時間-
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存類型

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

15ms, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-VDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-VFQFPN (6x5)

BR24L64F-WE2

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

400kHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

供應商設備包裝

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.5V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Gb (2G x 4)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

20ns

電壓-供電

1.283V ~ 1.45V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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