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93LC66BT-I/MNY

93LC66BT-I/MNY

僅供參考

型號 93LC66BT-I/MNY
PNEDA編號 93LC66BT-I-MNY
描述 IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8TDFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

93LC66BT-I/MNY資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號93LC66BT-I/MNY
類別半導體內存IC內存

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93LC66BT-I/MNY規格

制造商Microchip Technology
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率2MHz
寫周期-字,頁6ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-WFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝8-TDFN (2x3)

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內存大小

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內存接口

I²C

時鐘頻率

3.4MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

16-SOIC

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

內存大小

4.5Mb (256K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

119-BGA

供應商設備包裝

119-PBGA (14x22)

AT27BV1024-12VI

Microchip Technology

制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (64K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

供應商設備包裝

40-VSOP

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ON Semiconductor

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-UFDFN Exposed Pad

供應商設備包裝

8-UDFN (2x3)

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制造商

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系列

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內存類型

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技術

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內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

-

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