A2G26H281-04SR3
僅供參考
型號 | A2G26H281-04SR3 |
PNEDA編號 | A2G26H281-04SR3 |
描述 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
制造商 | NXP |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 6,084 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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A2G26H281-04SR3資源
品牌 | NXP |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | A2G26H281-04SR3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-RF |
數據表 |
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A2G26H281-04SR3規格
制造商 | NXP USA Inc. |
系列 | - |
晶體管類型 | LDMOS |
頻率 | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
增益 | 14.2dB |
電壓-測試 | 48V |
額定電流(安培) | - |
噪聲系數 | - |
當前-測試 | 150mA |
功率-輸出 | 50W |
電壓-額定 | 125V |
包裝/箱 | NI-780S-4L |
供應商設備包裝 | NI-780S-4L |
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