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A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

僅供參考

型號 A2G35S160-01SR3
PNEDA編號 A2G35S160-01SR3
描述 AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,828
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2G35S160-01SR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2G35S160-01SR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2G35S160-01SR3, A2G35S160-01SR3數據表 (總頁數: 10, 大小: 320.2 KB)
PDFA2G35S160-01SR3數據表 封面
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A2G35S160-01SR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率3.4GHz ~ 3.6GHz
增益15.7dB
電壓-測試48V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試190mA
功率-輸出51dBm
電壓-額定125V
包裝/箱NI-400S-2S
供應商設備包裝NI-400S-2S

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

350mA

功率-輸出

7W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-608B

供應商設備包裝

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

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