A2G35S200-01SR3
僅供參考
| 型號 | A2G35S200-01SR3 |
| PNEDA編號 | A2G35S200-01SR3 |
| 描述 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 制造商 | NXP |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,580 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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A2G35S200-01SR3資源
| 品牌 | NXP |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | A2G35S200-01SR3 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-RF |
| 數據表 |
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A2G35S200-01SR3規格
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | LDMOS |
| 頻率 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 增益 | 16.1dB |
| 電壓-測試 | 48V |
| 額定電流（安培） | - |
| 噪聲系數 | - |
| 當前-測試 | 291mA |
| 功率-輸出 | 180W |
| 電壓-額定 | 125V |
| 包裝/箱 | NI-400S-2S |
| 供應商設備包裝 | NI-400S-2S |
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