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A2I08H040NR1

A2I08H040NR1

僅供參考

型號 A2I08H040NR1
PNEDA編號 A2I08H040NR1
描述 IC RF LDMOS AMP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,898
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2I08H040NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2I08H040NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2I08H040NR1, A2I08H040NR1數據表 (總頁數: 30, 大小: 677.61 KB)
PDFA2I08H040NR1數據表 封面
A2I08H040NR1數據表 頁面 2 A2I08H040NR1數據表 頁面 3 A2I08H040NR1數據表 頁面 4 A2I08H040NR1數據表 頁面 5 A2I08H040NR1數據表 頁面 6 A2I08H040NR1數據表 頁面 7 A2I08H040NR1數據表 頁面 8 A2I08H040NR1數據表 頁面 9 A2I08H040NR1數據表 頁面 10 A2I08H040NR1數據表 頁面 11

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A2I08H040NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率920MHz
增益30.7dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試25mA
功率-輸出9W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270-15 Variant, Flat Leads
供應商設備包裝TO-270WB-15

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噪聲系數

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600mA

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14W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-測試

100V

額定電流(安培)

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噪聲系數

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噪聲系數

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當前-測試

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65V

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

30mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

65V

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晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

18.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.62A

功率-輸出

55W

電壓-額定

65V

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