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A2I25H060NR1

A2I25H060NR1

僅供參考

型號 A2I25H060NR1
PNEDA編號 A2I25H060NR1
描述 IC RF LDMOS AMP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2I25H060NR1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2I25H060NR1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2I25H060NR1, A2I25H060NR1數據表 (總頁數: 31, 大小: 1,052.63 KB)
PDFA2I25H060NR1數據表 封面
A2I25H060NR1數據表 頁面 2 A2I25H060NR1數據表 頁面 3 A2I25H060NR1數據表 頁面 4 A2I25H060NR1數據表 頁面 5 A2I25H060NR1數據表 頁面 6 A2I25H060NR1數據表 頁面 7 A2I25H060NR1數據表 頁面 8 A2I25H060NR1數據表 頁面 9 A2I25H060NR1數據表 頁面 10 A2I25H060NR1數據表 頁面 11

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A2I25H060NR1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.59GHz
增益26.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試26mA
功率-輸出10.5W
電壓-額定65V
包裝/箱TO-270-17 Variant, Flat Leads
供應商設備包裝TO-270WB-17

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28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

850mA

功率-輸出

28W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.81GHz ~ 1.88GHz

增益

14dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

250mA

功率-輸出

30W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400S

供應商設備包裝

NI-400S

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.3GHz ~ 2.4GHz

增益

14.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

56W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1252-1

供應商設備包裝

DFM8

BF245C

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

N-Channel JFET

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

25mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

30V

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

3SK318YB-TL-E

Renesas Electronics America

制造商

Renesas Electronics America

系列

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

-

增益

21dB

電壓-測試

3.5V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

1.4dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

6V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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