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A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1

僅供參考

型號 A2T08VD020NT1
PNEDA編號 A2T08VD020NT1
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,794
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T08VD020NT1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T08VD020NT1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2T08VD020NT1, A2T08VD020NT1數據表 (總頁數: 20, 大小: 663.66 KB)
PDFA2T08VD020NT1數據表 封面
A2T08VD020NT1數據表 頁面 2 A2T08VD020NT1數據表 頁面 3 A2T08VD020NT1數據表 頁面 4 A2T08VD020NT1數據表 頁面 5 A2T08VD020NT1數據表 頁面 6 A2T08VD020NT1數據表 頁面 7 A2T08VD020NT1數據表 頁面 8 A2T08VD020NT1數據表 頁面 9 A2T08VD020NT1數據表 頁面 10 A2T08VD020NT1數據表 頁面 11

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A2T08VD020NT1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率728MHz ~ 960MHz
增益19.1dB
電壓-測試48V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試40mA
功率-輸出18W
電壓-額定105V
包裝/箱24-QFN Exposed Pad
供應商設備包裝24-PQFN-EP (8x8)

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頻率

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增益

11dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

15A

噪聲系數

-

當前-測試

160mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-262A2

供應商設備包裝

CDFM4

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

1.51GHz

增益

19.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

600mA

功率-輸出

23W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

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頻率

940MHz

增益

19.9dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

70V

包裝/箱

OM-780-2

供應商設備包裝

OM-780-2

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.5GHz ~ 2.69GHz

增益

15dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

400mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

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頻率

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增益

20.3dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

275W

電壓-額定

100V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

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