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A2T18S162W31SR3

A2T18S162W31SR3

僅供參考

型號 A2T18S162W31SR3
PNEDA編號 A2T18S162W31SR3
描述 IC TRANS RF LDMOS
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T18S162W31SR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T18S162W31SR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2T18S162W31SR3, A2T18S162W31SR3數據表 (總頁數: 15, 大小: 463.41 KB)
PDFA2T18S162W31SR3數據表 封面
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A2T18S162W31SR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率1.84GHz
增益20.1dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試1A
功率-輸出32W
電壓-額定65V
包裝/箱NI-780S-2L2LA
供應商設備包裝NI-780S-2L2LA

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制造商

Ampleon USA Inc.

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晶體管類型

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頻率

960MHz ~ 1.215GHz

增益

20dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

2.8µA

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

700W

電壓-額定

106V

包裝/箱

SOT-502B

供應商設備包裝

SOT502B

制造商

NXP USA Inc.

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5V

額定電流(安培)

40mA

噪聲系數

2dB

當前-測試

15mA

功率-輸出

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