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A2T21S260W12NR3

A2T21S260W12NR3

僅供參考

型號 A2T21S260W12NR3
PNEDA編號 A2T21S260W12NR3
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,068
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A2T21S260W12NR3資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A2T21S260W12NR3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A2T21S260W12NR3, A2T21S260W12NR3數據表 (總頁數: 14, 大小: 331.63 KB)
PDFA2T21S260W12NR3數據表 封面
A2T21S260W12NR3數據表 頁面 2 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 3 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 4 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 5 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 6 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 7 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 8 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 9 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 10 A2T21S260W12NR3數據表 頁面 11

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A2T21S260W12NR3規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率2.11GHz ~ 2.2GHz
增益17.9dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試1.6A
功率-輸出218W
電壓-額定65V
包裝/箱OM-880X-2L2L
供應商設備包裝OM-880X-2L2L

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額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

8W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-400-240

供應商設備包裝

NI-400-240

BPS9G2934X-400Z

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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當前-測試

400mA

功率-輸出

400W

電壓-額定

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噪聲系數

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當前-測試

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功率-輸出

300W

電壓-額定

500V

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

供應商設備包裝

TO-264

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.3GHz

增益

22.7dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

250W

電壓-額定

120V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

1.81GHz ~ 1.88GHz

增益

15.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.1A

功率-輸出

580W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-1258-7

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