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A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

僅供參考

型號 A3T19H455W23SR6
PNEDA編號 A3T19H455W23SR6
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A3T19H455W23SR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A3T19H455W23SR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A3T19H455W23SR6, A3T19H455W23SR6數據表 (總頁數: 16, 大小: 383.66 KB)
PDFA3T19H455W23SR6數據表 封面
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A3T19H455W23SR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率1.93GHz ~ 1.99GHz
增益16.4dB
電壓-測試30V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試540mA
功率-輸出81W
電壓-額定65V
包裝/箱ACP-1230S-4L2S
供應商設備包裝ACP-1230S-4L2S

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噪聲系數

-

當前-測試

1.5A

功率-輸出

23W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

1.99GHz

增益

16.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

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電壓-額定

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19dB

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30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.9A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

H-34288-4/2

制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

920MHz

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30.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

25mA

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電壓-額定

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