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A3T21H360W23SR6

A3T21H360W23SR6

僅供參考

型號 A3T21H360W23SR6
PNEDA編號 A3T21H360W23SR6
描述 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

A3T21H360W23SR6資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號A3T21H360W23SR6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
A3T21H360W23SR6, A3T21H360W23SR6數據表 (總頁數: 16, 大小: 396.94 KB)
PDFA3T21H360W23SR6數據表 封面
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A3T21H360W23SR6規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.11GHz ~ 2.2GHz
增益16.4dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)10µA
噪聲系數-
當前-測試600mA
功率-輸出328W
電壓-額定65V
包裝/箱ACP-1230S-4L2S
供應商設備包裝ACP-1230S-4L2S

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額定電流(安培)

10mA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

3V

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

PTRA093608PV1-V1-R2

Cree/Wolfspeed

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Cree/Wolfspeed

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晶體管類型

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增益

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電壓-測試

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額定電流(安培)

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

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包裝/箱

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頻率

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增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

945MHz

增益

17dB

電壓-測試

26V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

60W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-360S

供應商設備包裝

NI-360S

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

19dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

16A

噪聲系數

-

當前-測試

410mA

功率-輸出

13.5W

電壓-額定

65V

包裝/箱

SOT-1121B

供應商設備包裝

LDMOST

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