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ADC114EUQ-13

ADC114EUQ-13

僅供參考

型號 ADC114EUQ-13
PNEDA編號 ADC114EUQ-13
描述 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ADC114EUQ-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ADC114EUQ-13
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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ADC114EUQ-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大270mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Surface Mount

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10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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