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ADC114EUQ-7

ADC114EUQ-7

僅供參考

型號 ADC114EUQ-7
PNEDA編號 ADC114EUQ-7
描述 PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 3K
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ADC114EUQ-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ADC114EUQ-7
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

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ADC114EUQ-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大270mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Diodes Incorporated

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 100Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

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1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 30V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 1kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz, 260MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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