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ALD1101ASAL

ALD1101ASAL

僅供參考

型號 ALD1101ASAL
PNEDA編號 ALD1101ASAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 8,136
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1101ASAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1101ASAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1101ASAL, ALD1101ASAL數據表 (總頁數: 8, 大小: 76.75 KB)
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ALD1101ASAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V

功率-最大

1.3W (Ta)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

950mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 1.6µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.32nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

63pF @ 10V

功率-最大

500mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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