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ALD1101BPAL

ALD1101BPAL

僅供參考

型號 ALD1101BPAL
PNEDA編號 ALD1101BPAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 6,966
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1101BPAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1101BPAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1101BPAL, ALD1101BPAL數據表 (總頁數: 8, 大小: 76.75 KB)
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ALD1101BPAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 13V

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1W

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3.1A, 2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

731pF @ 20V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

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