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ALD1103SBL

ALD1103SBL

僅供參考

型號 ALD1103SBL
PNEDA編號 ALD1103SBL
描述 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 6,180
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1103SBL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1103SBL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1103SBL, ALD1103SBL數據表 (總頁數: 9, 大小: 87.59 KB)
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ALD1103SBL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40mA, 16mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs75Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝14-SOIC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

730pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.3nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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