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ALD1105PBL

ALD1105PBL

僅供參考

型號 ALD1105PBL
PNEDA編號 ALD1105PBL
描述 MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 16,584
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1105PBL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1105PBL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1105PBL, ALD1105PBL數據表 (總頁數: 9, 大小: 96.83 KB)
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ALD1105PBL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列-
FET類型2 N and 2 P-Channel Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱14-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝14-PDIP

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100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

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