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ALD110802PCL

ALD110802PCL

僅供參考

型號 ALD110802PCL
PNEDA編號 ALD110802PCL
描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD110802PCL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD110802PCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD110802PCL, ALD110802PCL數據表 (總頁數: 12, 大小: 105.93 KB)
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ALD110802PCL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型4 N-Channel, Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 4.2V
Vgs(th)(最大)@ ID220mV @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

20mV @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1450pF @ 10V

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 10V

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