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ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

僅供參考

型號 ALD1110EPAL
PNEDA編號 ALD1110EPAL
描述 MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD1110EPAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD1110EPAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD1110EPAL, ALD1110EPAL數據表 (總頁數: 14, 大小: 142.27 KB)
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ALD1110EPAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)10V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.01V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大600mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

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