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ALD114913PAL

ALD114913PAL

僅供參考

型號 ALD114913PAL
PNEDA編號 ALD114913PAL
描述 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD114913PAL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD114913PAL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD114913PAL, ALD114913PAL數據表 (總頁數: 12, 大小: 106.4 KB)
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ALD114913PAL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®
FET類型2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能Depletion Mode
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12mA, 3mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs500Ohm @ 2.7V
Vgs(th)(最大)@ ID1.26V @ 1µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2.5pF @ 5V
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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