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ALD210808APCL

ALD210808APCL

僅供參考

型號 ALD210808APCL
PNEDA編號 ALD210808APCL
描述 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ALD210808APCL資源

品牌 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ALD210808APCL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ALD210808APCL, ALD210808APCL數據表 (總頁數: 12, 大小: 113.6 KB)
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ALD210808APCL規格

制造商Advanced Linear Devices Inc.
系列EPAD®, Zero Threshold™
FET類型4 N-Channel, Matched Pair
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)10.6V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID20mV @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大500mW
工作溫度0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝16-PDIP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 935µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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