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AO4459L

AO4459L

僅供參考

型號 AO4459L
PNEDA編號 AO4459L
描述 MOSFET P-CH 30V 6.5A 8SOIC
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AO4459L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AO4459L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AO4459L, AO4459L數據表 (總頁數: 6, 大小: 599.25 KB)
PDFAO4459L數據表 封面
AO4459L數據表 頁面 2 AO4459L數據表 頁面 3 AO4459L數據表 頁面 4 AO4459L數據表 頁面 5 AO4459L數據表 頁面 6

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AO4459L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds830pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4310pF @ 15V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

890mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerDI3333-8

包裝/箱

8-PowerVDFN

IRFR3710ZTRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

153mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

497pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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150W (Tc)

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