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AO6601

AO6601

僅供參考

型號 AO6601
PNEDA編號 AO6601
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AO6601資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AO6601
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
AO6601, AO6601數據表 (總頁數: 9, 大小: 477.14 KB)
PDFAO6601_001數據表 封面
AO6601_001數據表 頁面 2 AO6601_001數據表 頁面 3 AO6601_001數據表 頁面 4 AO6601_001數據表 頁面 5 AO6601_001數據表 頁面 6 AO6601_001數據表 頁面 7 AO6601_001數據表 頁面 8 AO6601_001數據表 頁面 9

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AO6601規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N and P-Channel Complementary
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A, 2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds285pF @ 15V
功率-最大1.15W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 6V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

600mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

620mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

21.3pF @ 10V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.25W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

340mA, 235mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

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