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AOI2610E

AOI2610E

僅供參考

型號 AOI2610E
PNEDA編號 AOI2610E
描述 MOSFET N-CH 60V 46A TO251A
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,502
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOI2610E資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOI2610E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOI2610E, AOI2610E數據表 (總頁數: 6, 大小: 411.34 KB)
PDFAOI2610E數據表 封面
AOI2610E數據表 頁面 2 AOI2610E數據表 頁面 3 AOI2610E數據表 頁面 4 AOI2610E數據表 頁面 5 AOI2610E數據表 頁面 6

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AOI2610E規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

93W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.4A (Ta), 65.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1490pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 80µA

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110nC @ 10V

Vgs(最大)

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