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AON5802B

AON5802B

僅供參考

型號 AON5802B
PNEDA編號 AON5802B
描述 MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AON5802B資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AON5802B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
AON5802B, AON5802B數據表 (總頁數: 5, 大小: 269.12 KB)
PDFAON5802B_101數據表 封面
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AON5802B規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1150pF @ 15V
功率-最大1.6W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
供應商設備包裝6-DFN-EP (2x5)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A, 13.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 10V

功率-最大

7.8W

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

605pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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