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AON6522_002

AON6522_002

僅供參考

型號 AON6522_002
PNEDA編號 AON6522_002
描述 MOSFET N-CH 25V 71A DFN5X6
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AON6522_002資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AON6522_002
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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AON6522_002規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)71A (Ta), 200A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs145nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7036pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)7.3W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-DFN (5x6)
包裝/箱8-PowerSMD, Flat Leads

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25Ohm @ 150mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5387pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

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制造商

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

476nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12826pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3510pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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