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AOSP21321

AOSP21321

僅供參考

型號 AOSP21321
PNEDA編號 AOSP21321
描述 MOSFET P-CH 30V 8SOIC
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 24,708
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOSP21321資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOSP21321
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOSP21321, AOSP21321數據表 (總頁數: 5, 大小: 298.94 KB)
PDFAOSP21321數據表 封面
AOSP21321數據表 頁面 2 AOSP21321數據表 頁面 3 AOSP21321數據表 頁面 4 AOSP21321數據表 頁面 5

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AOSP21321規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs17mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1180pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOIC
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.3mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

945pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 18W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

82nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3175pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3170pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

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