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AOTF11S65L

AOTF11S65L

僅供參考

型號 AOTF11S65L
PNEDA編號 AOTF11S65L
描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 13,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOTF11S65L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOTF11S65L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOTF11S65L, AOTF11S65L數據表 (總頁數: 7, 大小: 299.88 KB)
PDFAOTF11S65L數據表 封面
AOTF11S65L數據表 頁面 2 AOTF11S65L數據表 頁面 3 AOTF11S65L數據表 頁面 4 AOTF11S65L數據表 頁面 5 AOTF11S65L數據表 頁面 6 AOTF11S65L數據表 頁面 7

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AOTF11S65L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列aMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs399mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.2nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds646pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)31W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1005pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5185pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

209pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta), 5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

56.8W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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600mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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-

功耗(最大值)

540mW (Ta)

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