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AOTF18N65L

AOTF18N65L

僅供參考

型號 AOTF18N65L
PNEDA編號 AOTF18N65L
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO220F
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,374
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOTF18N65L資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOTF18N65L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOTF18N65L, AOTF18N65L數據表 (總頁數: 5, 大小: 345.71 KB)
PDFAOTF18N65數據表 封面
AOTF18N65數據表 頁面 2 AOTF18N65數據表 頁面 3 AOTF18N65數據表 頁面 4 AOTF18N65數據表 頁面 5

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AOTF18N65L規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)18A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs390mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs68nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3785pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220-3F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 64A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

73nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3720pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

115W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

293W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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