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AOW7S60

AOW7S60

僅供參考

型號 AOW7S60
PNEDA編號 AOW7S60
描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO262
制造商 Alpha & Omega Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AOW7S60資源

品牌 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AOW7S60
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
AOW7S60, AOW7S60數據表 (總頁數: 6, 大小: 271.3 KB)
PDFAOW7S60數據表 封面
AOW7S60數據表 頁面 2 AOW7S60數據表 頁面 3 AOW7S60數據表 頁面 4 AOW7S60數據表 頁面 5 AOW7S60數據表 頁面 6

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AOW7S60規格

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列aMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds372pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

590pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 280µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1081pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 25V

FET功能

-

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71W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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