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APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

僅供參考

型號 APT100GT120JRDQ4
PNEDA編號 APT100GT120JRDQ4
描述 IGBT 1200V 123A 570W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,824
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT100GT120JRDQ4資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT100GT120JRDQ4
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT100GT120JRDQ4規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)123A
功率-最大570W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)200µA
輸入電容(Cies)@ Vce7.85nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.6nF @ 10V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

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-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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