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APT100GT60JR

APT100GT60JR

僅供參考

型號 APT100GT60JR
PNEDA編號 APT100GT60JR
描述 IGBT 600V 148A 500W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT100GT60JR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT100GT60JR
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT100GT60JR規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)148A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)25µA
輸入電容(Cies)@ Vce5.15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 2400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

150nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.81nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Chassis Mount

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.5nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

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